محدودکردن گذراهای کلیدزنی بانک خازنی با استفاده از مبدل های الکترونیک قدرت
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی
- نویسنده مسعود یوسفی راد
- استاد راهنما محسن صنیعی رضا کیانی نژاد
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1393
چکیده
در این پایان نامه، ابتدا اهمیت جبران توان راکتیو آورده شده است. با توجه به اینکه کلیدزنی بانک های خازنی همراه با دو پدیده مخرب جریان هجومی و اضافه ولتاژگذرا می باشد، تاکنون روش های متنوعی جهت کنترل دامنه این گذراها استفاده و بحث شده است. هرکدام از روش های پیشین معایب عمده ای از قبیل رزنانس سری ، کلیدزنی چندگانه، پیچیدگی کنترل، هزینه بالا و قابلیت اطمینان پایین و نیاز به ادوات اندازه گیری دقیق داشتند. از مبدل های الکترونیک قدرت (یکسوسازها) و راکتور dc جهت ایجاد امپدانس گذرا در طی زمان کلیدزنی وسپس بای پس کردن راکتور dc در ترکیب های متنوعی جهت کاهش موثر دامنه و فرکانس حاصل از کلیدزنی استفاده شده است. با استفاده از روش تحلیلی، معادلات مربوط به هر محدودکننده در هر مد کاری بدست آورده شده است. وجود مقاومت اهمی راکتورها به همراه استفاده از منبع ولتاژ dc، تلفات ماندگار را در پی خواهد داشت. این تلفات سبب کاهش راندمان خواهد شد. به سبب استفاده از محدودکننده ها در سیستم سه فاز و استفاده از یک محدودکننده درمسیر هر فاز، مجموعا از سه محدودکننده استفاده می شود که باعث افزایش تلفات ناشی از یکسوسازها و راکتورها می گردد. در این پایان نامه، با تغییردر ساختار محدودکننده ها و کاهش تعداد یکسوسازها و راکتورها، سادگی ساختار محدودکننده ها و کاهش تلفات ناشی از اعمال محدودکننده ها بدست می آید. از نرم افزار emtp-rv جهت شبیه سازی و کارامدی محدودکننده ها و مقایسه نتایج استفاده شده است.
منابع مشابه
شناسایی محل بانک خازنی کلیدزنی شده در شبکه توزیع با استفاده از شبکه عصبی-فازی
در این مقاله، روش جدیدی برمبنای سیستم عصبی فازی (ANFIS) برای مکان یابی بانک خازنی کلیدزنی شده در شبکه توزیع ارائه می شود. این روش بر اساس شاخصی عمل می کند که از طریق آنالیز حالت گذرای جریان بدست می آید و از این شاخص برای آموزش شبکه عصبی فازی استفاده می شود. این شاخص را می توان بصورت Offline یا Online بوسیله ی اطلاعات کیفیت توان سیستم محاسبه نمود. روش بیان شده فقط از شکل موج حالت گذرای جریان است...
متن کاملمبدل DC-DC افزاینده جدید مبتنی بر کلیدزنی سلفی/خازنی با بهره ولتاژ بسیار بالا
در این مقاله ساختار جدیدی از مبدلهای DC به DC بدون ترانسفورمرِ متقارن بهمنظور افزایش بهره ولتاژ آن ارائه شده است. میتوان با توسعه ماژولار سیستم پیشنهادی، حداکثر بهره ولتاژ مبدل و همچنین تنش کلیدهای قدرت را بهدلخواه تنظیم نمود. ساختار ارائهشده مبتنی بر مدارات خازن/سلف کلیدزنیشونده بوده و بهگونهای طرح شده است که همه کلیدهای مبدل توسط یک مدار مدولاسیون پهنای باند (PWM) کنترل میشوند. جریان ...
متن کاملمبدل dc-dc افزاینده جدید مبتنی بر کلیدزنی سلفی/خازنی با بهره ولتاژ بسیار بالا
در این مقاله ساختار جدیدی از مبدل های dc به dc بدون ترانسفورمرِ متقارن به منظور افزایش بهره ولتاژ آن ارائه شده است. می توان با توسعه ماژولار سیستم پیشنهادی، حداکثر بهره ولتاژ مبدل و همچنین تنش کلیدهای قدرت را به دلخواه تنظیم نمود. ساختار ارائه شده مبتنی بر مدارات خازن/سلف کلیدزنی شونده بوده و به گونه ای طرح شده است که همه کلیدهای مبدل توسط یک مدار مدولاسیون پهنای باند (pwm) کنترل می شوند. جریان ...
متن کاملکلیدزنی نرم در مبدل های dc-dc
در این مقاله در ابتدا مفهوم کلیدزنی نرم در مبدل های dc-dc تشریح می شود و در ادامه وارد بُعد مداری شده و یک مبدل بوست را با کلیدزنی نرم و با ایجاد شرایط ولتاژ صفر (zvs) و جریان صفر (zcs) تحلیل و آنالیز می کنیم. مبدل بوست، از یک مدار کمکی رزونانسی که شامل یک کلید اکتیو و تعدادی عناصر پسیو می باشد جهت ایجاد شرایط مناسب برای کلیدزنی نرم استفاده شده است هم چنین در ادامه یک مبدل بوست با کلیدزنی نرم جر...
متن کاملارائه یک مبدل توان پالسی ولتاژ بالا دوقطبی با استفاده از ساختار چند برابر کننده کلید-خازنی
درخواستها برای تولید ولتاژ پالسی با دامنههای بالا بسیار زیاد شده است درحالیکه ساختارهای سنتی و ارائه شده در سالهای اخیر از تعداد ادوات کلیدزنی بالا و منابع ولتاژ با دامنه بالا رنج میبرند. از اینرو ساختارهای چندبرابرکننده بهعنوان ساختارهای جایگزین بهعنوان تولیدکنندههای جدید برای توان پالس ارائه شدهاند. در این مقاله، یک ساختار جدید برای مبدلهای تولید پالس قدرت ارائه شده است که از یک ور...
متن کاملتحلیل، طراحی و شبیهسازی یک مبدل dc/dc کاهنده با کلیدزنی تحت ولتاژ و جریان صفر
این مقاله به تحلیل و طراحی یک ساختار از مبدلهای dc/dc کاهنده با کلیدزنی نرم میپردازد. یکی از مزیتهای ساختار پیشنهادی کاهش تلفات کلیدزنی و نیز کاهش تنش ولتاژ و جریان روی المانهای مدار به دلیل کلیدزنی نرم است. در این ساختار روشن شدن کلیدها تحت ولتاژ صفر و جریان صفر بوده و خاموش شدن آنها تحت ولتاژ صفر است. مزیت دیگر ساختار ارائه شده امکان کلیدزنی در فرکانسهای بالا است. در این مقاله اصول عمل...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023